DMNH4011SPSQ-13
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.9A（Ta）、100A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、150W（Tc） 供应商设备包装: PowerDI5060-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.74990 | 7.74990 |
| 10+ | 6.90972 | 69.09727 |
| 100+ | 5.38726 | 538.72690 |
| 500+ | 4.45047 | 2225.23600 |
| 1000+ | 3.51353 | 3513.53100 |
| 2500+ | 3.27929 | 8198.23750 |
| 5000+ | 3.19411 | 15970.59500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.74990
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.75
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 供应商设备包装 PowerDI5060-8
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25.5 nC@10 V
- 最大功耗 2.5W（Ta）、150W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@50A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12.9A（Ta）、100A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1405 pF@20 V
DMNH4011SPSQ-13 产品详情
Diodes的DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ双封装增强型MOSFET具有电阻和栅极电荷规格的低品质因数，最大限度地减少了功率损耗，从而实现了符合成本效益的高效汽车电源管理解决方案。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
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| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMNH4011SPSQ-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMNH4011SPSQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMNH4011SPSQ-13价格参考￥7.749903，你可以下载 DMNH4011SPSQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMNH4011SPSQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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