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DMN3033LDM-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SOT-26 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.83873 3.83873
10+ 3.29552 32.95520
100+ 2.46041 246.04130
500+ 1.93327 966.63750
1000+ 1.49392 1493.92100
3000+ 1.36210 4086.30000
6000+ 1.27424 7645.45800
  • 库存: 2
  • 单价: ¥3.83874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.84
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规格参数

  • 长(英寸) ninety-six
  • 宽(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 包装/外壳 SOT-23-6
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
  • 最大功耗 2W(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-26
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.9A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 755 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 33毫欧姆 @ 6.9A, 10V

DMN3033LDM-7 产品详情

DMN3033LDM-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN3033LDM-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3033LDM-7价格参考¥3.838737,你可以下载 DMN3033LDM-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3033LDM-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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