9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A08KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A08KTC参考价格为0.65000美元。Diodes Incorporated ZXMN6A08KTC封装/规格：MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3。您可以下载ZXMN6A08KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A08GTA是MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223，包括ZXMN6A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为459pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为80 mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.8nC@10V，Pd功耗为3.9W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.6 ns，上升时间为2.1ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.3A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.3ns，典型导通延迟时间为2.6ns，沟道模式为增强。
ZXMN6A08E6TA是MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.000529 oz，典型开启延迟时间设计为2.6 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-26，系列为ZXMN6A0，上升时间为2.1ns，Rds On Max Id Vgs为80mOhm@4.8A，10V，Rds On漏极-源极电阻为150mOhm，功率最大值为1.1W，Pd功耗为1.1W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SOT-23-6，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为459pF@40V，Id连续漏极电流为3.5A，栅极电荷Qg Vgs为5.8nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为2.1ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为2.8A（Ta），配置为单双漏极，并且信道模式是增强。
ZXMN6A08G，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN6A08G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
