9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2021UFDE-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2021UFDE-13参考价格为0.18720美元。Diodes Incorporated DMP2021UFDE-13封装/规格：MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN。您可以下载DMP2021UFDE-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP2021UFDF-13具有引脚细节，包括DMP2021系列，它们设计为采用卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如DFN-2020-6，技术设计为在Si中工作，以及1信道数信道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为2.02 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为96 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为-9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为-350mV，Rds漏极-源极电阻为22mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为125ns，典型关通延迟时间为7.5ns，Qg栅极电荷为59nC，沟道模式为增强。
DMP2021UFDF-7，带有用户指南，包括-350 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-8 V Vgs栅极源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为125 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为DMP2021，器件的上升时间为25 ns，器件的漏极-源极电阻为22 mOhms，Qg栅极电荷为59 nC，Pd功耗为2.02 W，封装为卷轴式，封装外壳为DFN-2020-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-9A，下降时间为96ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP2022LSS，电路图由DIODES制造。DMP2022LSS在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
