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DMG3401LSNQ-13

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 800mW 供应商设备包装: SC-59-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25.1 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@250A.
  • 最大功耗 800mW
  • 供应商设备包装 SC-59-3
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 4A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1326 pF@15 V
  • 色彩/颜色 绿色

DMG3401LSNQ-13 产品详情

这一新一代30V P沟道增强型MOSFET的设计旨在最小化RDS(开启),同时保持优异的开关性能。该设备非常适合手持式应用

特色


•低输入电容
•低导通电阻
•低输入/输出泄漏
•完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
•无卤素和锑。“绿色”设备(注3)
•符合AEC-Q101高可靠性标准

DMG3401LSNQ-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMG3401LSNQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMG3401LSNQ-13价格参考¥1.355871,你可以下载 DMG3401LSNQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMG3401LSNQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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