9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN24H3D5L-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN24H3D5L-13参考价格0.18900美元。Diodes Incorporated DMN24H3D5L-13封装/规格：MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23。您可以下载DMN24H3D5L-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2400UFB-7是MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN，包括DMN24系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在3-X1DFN1006供应商设备包中提供，该设备具有MOSFET N信道，FET型金属氧化物，最大功率为470mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为36pF@16V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为750mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为550mOhm@600mA，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.5nC@4.5V，Id连续漏极电流为750mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，漏极-漏极电阻为900mOhm，晶体管极性为N沟道。
DMN2400UFD-7是MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3，包括1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于4.06 ns的典型开启延迟时间，其提供典型关闭延迟时间功能，如13.74 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为DMN24，器件的上升时间为7.28 ns，器件的漏极-源极电阻为1.6欧姆，Qg栅极电荷为0.5 nC，Pd功耗为400 mW，封装为卷轴式，封装外壳为X1-DFN1212-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为900 mA，下降时间为10.54 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN2400UFDQ-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN2400，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
DMN2400UFDQ-7带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供DMN2400等系列功能，晶体管类型设计为在1 N通道以及1通道数量的通道中工作。
