9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2050LQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2050LQ-7参考价格为0.18943美元。Diodes Incorporated DMN2050LQ-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23。您可以下载DMN2050LQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2046U-7，带引脚细节，包括DMN2046系列，设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供Si等技术特性，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为SOT-23，该设备为MOSFET N沟道、金属氧化物FET型，该设备最大功率为760mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为292pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3.4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为72 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.8nC@4.5V，晶体管极性为N沟道。
带用户指南的DMN2041UFDB-13，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于U-DFN2020-6以及DMC041系列，该设备也可用于40 mOhm@4.2A，4.5V Rds最大Id Vgs。此外，最大功率为1.4W，该设备采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有6-UDFN封装盒暴露垫，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为713pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@8V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.7A。
带有电路图的DMN2041UFDB-7，包括4.7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在15nC@8V下工作，以及713pF@10V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有6-UDFN封装盒暴露垫，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为1.4W，最大Id Vgs的Rds为40mOhm@4.2A，4.5V，系列为DMC041，供应商设备封装为U-DFN2020-6，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vgs th Max Id为1.4V@250μA。
DMN2046U-13具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供DMN2046等系列功能，晶体管类型设计为在1 N通道以及1通道数量的通道中工作。
