9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP6A13GQTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP6A13GQTA参考价格为0.42504美元。Diodes Incorporated ZXMP6A13GQTA封装/规格：MOSFET BVDSS:41V 60V SOT223。您可以下载ZXMP6A13GQTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP6A13FQTA是MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3，包括ZXMP6系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOT-23，该设备为单配置，该设备具有MOSFET P沟道、FET型金属氧化物，最大功率为625mW，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为219pF@30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为900mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为400 mOhm@900mA，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.9nC@4.5V，Pd功耗为806mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.7 ns，上升时间为2.2 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为-1.1A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs栅极-源极阈值电压为-3V，Rds导通漏极-漏极电阻为400m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为11.2ns，典型接通延迟时间为1.6ns，Qg栅极电荷为2.9nC，并且前向跨导Min为1.8S，并且信道模式为增强。
ZXMP6A13FTA是MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于-60 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如1.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为11.2 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMP6A系列，该器件的上升时间为2.2 ns，漏极电阻Rds为600 mOhms，Pd功耗为625 mW，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-1.1 A，下降时间为2.2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
ZXMP6A13FTC，带有ZETEX制造的电路图。ZXMP6A13FTC采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
ZXMP6A13G，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。ZXMP6A13G采用SOT223封装，是FET的一部分-单个。
