9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG3414UQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG3414UQ-7参考价格0.13340美元。Diodes Incorporated DMG3414UQ-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3。您可以下载DMG3414UQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG3414U-7是MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23，包括DMG3414系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为780mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为829.9pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为25 mOhm@8.2A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.6nC@4.5V，Pd功耗为780 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.6 ns，上升时间为8.3ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为4.2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40.1ns，典型导通延迟时间为8.1ns，沟道模式为增强型。
DMG3414U，带有DIODES制造的用户指南。DMG3414U采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
DMG3414U-7-F，电路图由Diodes制造。DMG3414U-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
DMG3414U-7-F/带Diodes制造的EDA/CAD模型。DMG3414U-7-F/采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
