DMN63D8L-13

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
• 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
• 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
• 最大功耗 350mW (Ta)
• 供应商设备包装 SOT-23-3
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、10伏
• 漏源电流 (Id) @ 温度 350毫安 (Ta)
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 23.2 pF@25 V
• 导通电阻 Rds(ON) 2.8欧姆@250毫安，10V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.9 nC@10 V
• 色彩/颜色 White