DMNH4006SK3Q-13
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、140A（Tc） 最大功耗: 2.2W（Ta） 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 4.68470 | 11711.77000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.68471
-
数量:
- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 供应商设备包装 TO-252-3
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大功耗 2.2W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）、140A（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 51 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2280 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 86A, 10V
- 色彩/颜色 White
DMNH4006SK3Q-13 产品详情
Diodes的DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ双封装增强型MOSFET具有电阻和栅极电荷规格的低品质因数，最大限度地减少了功率损耗，从而实现了符合成本效益的高效汽车电源管理解决方案。
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| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
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DMNH4006SK3Q-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMNH4006SK3Q-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMNH4006SK3Q-13价格参考￥4.684708，你可以下载 DMNH4006SK3Q-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMNH4006SK3Q-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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