9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN2230U-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2230U-7参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated DMN2230U-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3。您可以下载DMN2230U-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2215UDM-7是MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26，包括DMN22系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在SOT-26供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为650mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为188pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2A，最大Id Vgs的Rds为100 mOhm@2.5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为650 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.8 ns，上升时间为3.8纳秒，Vgs栅源电压为12 V，并且Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为165mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19.6ns，典型导通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为5S，并且信道模式是增强。
DMN21D2UFB-7B是MOSFET MOSFET BVDSS：8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了DMN21、Rds漏极源极电阻等系列功能，该装置也可用作X1-DFN1006-2包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供760 mA Id连续漏电流。
DMN2230U，电路图由DIODES制造。DMN2230U采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
