9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN4206GTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4206GTC参考价格为0.43659美元。Diodes Incorporated ZVN4206GTC封装/规格：MOSFET N-CH 60V 1A SOT223。您可以下载ZVN4206GTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4206GTA是MOSFET N-CH 60V 1A SOT223，包括ZVN4206系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双源极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为100pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1 Ohm@1.5A，10V，Vgs最大Id为3V@1mA，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12s，典型导通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
ZVN4206AVSTZ是MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3，包括3 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，具有0.016000盎司等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为8 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的ZVN4206，上升时间为12ns，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，Pd功耗为700mW，封装为散装，封装盒为TO-92-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为600 mA，正向跨导最小值为300 mS，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
ZVN4206GTAPBF，带有ZETEX制造的电路图。ZVN4206GTAPBF采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
