9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN53D0LQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN53D0LQ-13参考价格为0.05404美元。Diodes Incorporated DMN53D0LQ-13封装/规格：MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23。您可以下载DMN53D0LQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN53D0LDW-13，带有引脚细节，包括DMN53系列，它们设计用于带卷（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-363，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为310mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为46pF@25V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为360mA，最大Id Vgs的Rds为1.6 Ohm@500mA，10V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.6nC@4.5V，Pd功耗为310 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为2.5ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为360mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型导通延迟时间为2.7ns，Qg栅极电荷为0.6nC，信道模式为增强。
带有用户指南的DMN53D0LDW-7，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在1.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，数据表注释中显示了用于20 V的Vgs栅极-源电压，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如50 V，单位重量设计为在0.000212 oz内工作，以及2.7 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作19ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为SOT-363，系列为DMN53，上升时间为2.5 ns，Rds On Max Id Vgs为1.6 Ohm@500mA，10V，Rds On Drain Source Resistance为4.5 Ohm，Qg Gate Charge为0.6 nC，Power Max为310mW，Pd功耗为310 mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为46pF@25V，Id连续漏极电流为360 mA，栅极电荷Qg-Vgs为0.6nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为11 ns，漏极到源极电压Vdss为50V，电流连续漏极Id 25°C为360 mA，并且配置是双重的，并且信道模式是增强的。
DMN53D0LQ-13带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
