DMNH6011LK3Q-13
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: TO-252，（D-Pak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 5.55820 | 13895.50250 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 漏源电压标 (Vdss) 55 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大功耗 1.6W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
- 供应商设备包装 TO-252，（D-Pak）
- 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@25A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 49.1 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3077 pF @ 30 V
DMNH6011LK3Q-13 产品详情
Diodes的DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ双封装增强型MOSFET具有电阻和栅极电荷规格的低品质因数，最大限度地减少了功率损耗，从而实现了符合成本效益的高效汽车电源管理解决方案。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
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 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMNH6011LK3Q-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMNH6011LK3Q-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMNH6011LK3Q-13价格参考￥5.558201，你可以下载 DMNH6011LK3Q-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMNH6011LK3Q-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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