9icnet为您提供Diodes公司设计和生产的DMN6075S-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6075S-13价格参考0.06653美元。Diodes Incorporated DMN6075S-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2A SOT23。您可以下载DMN6075S-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN6075S-7带有引脚细节，包括DMN60系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为606pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为85 mOhm@3.2A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@10V，Pd功耗为1.15 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为4.1ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V1 V，Rds导通漏极-漏极电阻为120m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为3.5ns，Qg栅极电荷为12.3nC，信道模式为增强。
DMN6070SFCL-7是MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在3 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如60 V，典型开启延迟时间设计为3.5 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的X1-DFN1616-6，系列为DMN60，上升时间为4.1ns，Rds On Max Id Vgs为85mOhm@1.5A，10V，Rds On漏极-源极电阻为120mOhm，Qg栅极电荷为12.3nC，功率最大为600mW，Pd功耗为1.8W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-PowerUFDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为606pF@20V，Id连续漏极电流为2.5A，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@10V，正向跨导Min为2.6S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为11ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
DMN6070SSD-13，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计用于双配置，电流连续漏极Id 25°C，如数据表注释所示，用于3.3A，提供漏极到源极电压Vdss功能，如60V，下降时间设计用于11 ns，以及逻辑电平门FET功能，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@10V，器件提供3.3 A Id连续漏极电流，器件具有588pF@30V输入电容Ciss Vds，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），且封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1.5W，功率最大值为1.2W，Qg栅极电荷为12.3 nC，漏极-源极电阻Rds为70 mOhm，漏极最大值Id Vgs为80 mOhm@12A，10V，上升时间为4.1 ns，系列为DMN60，供应商器件封装为8-SO，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为3.5ns，单位重量为0.002610 oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Vgsth最大Id为3V@250μA。
DMN6075S-13带有EDA/CAD型号，包括SOT-23-3封装盒，设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表注释所示，用于单芯片，提供Si等技术功能，封装设计用于卷筒，以及N沟道晶体管极性，该器件也可用于增强沟道模式。此外，该系列为DMN60，该器件提供60 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件的上升时间为4.1 ns，典型关断延迟时间为35 ns，典型接通延迟时间为3.5 ns，Id连续漏极电流为2.5 a，Rds导通漏极-漏极电阻为120 mOhms，Qg栅极电荷为12.3 nC，下降时间为11 ns，Pd功耗为1.15 W，Vgs栅极-源极阈值电压为1 V 1 V，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.000282 oz，Vgs栅-源极电压为+/-20 V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C。
