DMNH45M7SCT
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A（Tc） 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 50
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 50+ | 12.23181 | 611.59050 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 最大功耗 240W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 20A, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 220A（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 64.7 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4043 pF @ 20 V
DMNH45M7SCT 产品详情
Diodes的DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ双封装增强型MOSFET具有电阻和栅极电荷规格的低品质因数，最大限度地减少了功率损耗，从而实现了符合成本效益的高效汽车电源管理解决方案。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.86723 |
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| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20652 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMNH45M7SCT所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMNH45M7SCT 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMNH45M7SCT价格参考￥12.231810，你可以下载 DMNH45M7SCT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMNH45M7SCT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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