9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2320UFB4-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2320UFB4-7B参考价格为0.44000美元。Diodes Incorporated DMN2320UFB4-7B封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3。您可以下载DMN2320UFB4-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN2300UFL4-7是MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN，包括DMN23系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-XFDFN暴露焊盘，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在X2-DFN1310-6供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为530mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为64.3pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.11A，最大Id Vgs的Rds为195 mOhm@300mA，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.6nC@4.5V，Pd功耗为530 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为2.8 ns，并且Id连续漏极电流为2.11A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.95V，Rds导通漏极-漏极电阻为520mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型关通延迟时间为3.5ns，Qg栅极电荷为1.6nC，沟道模式为增强。
DMN2300UFB-7B是MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于DMN23，以及360 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为DFN-1006-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为1.78 a。
DMN2300UFD-7是由Diodes制造的“MOSFET MOSFET BVDSS:8V-24V X1-DFN1212-3”。DMN2300UFD-7以DFN1212-3封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET BVDSS：8V-24V X1-D-FN1212-3、N沟道20V 1.21A（Ta）470mW（Ta）表面安装X1-DFN1222-3、MOSFET BVDS:8V-24V X1-DFN1212-3,3K”。
