9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的TN0610N3-G-P013，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TN0610N3-G-P013价格参考0.99001美元。Microchip Technology TN0610N3-G-P013封装/规格：MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3。您可以下载TN0610N3-G-P013英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TN0610N3-G-P013带有引脚细节，包括弹药包包装，其设计用于0.016000盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为500 mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为15欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
TN0610N3-G-P003是MOSFET N-CH Enhancmnt模式MOSFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在14 ns上升时间内提供，器件具有15欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1 W，封装为卷轴，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为500 mA，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
TN0610N3-G是MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3，包括增强型通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于500 mA的Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装盒为TO-92-3，器件采用散装封装，器件具有1W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为6ns，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
TN0610N3，带有SUPERTEX制造的EDA/CAD模型。TN0610N3在TO-92封装中提供，是FET的一部分-单个。
