9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT34M60S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT34M60S参考价格为12.90000美元。微芯片技术APT34M60S封装/规格：MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK。您可以下载APT34M60S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT34F100L是MOSFET N-CH 1000V 35A TO264，包括0.373904 oz单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-264-3，提供Si等技术特性，配置设计为单级工作，以及1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为38 ns，器件的上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为35 a，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为305nC，正向跨导最小值为39S，沟道模式为增强。
APT34F60B是MOSFET N-CH 600V 34A TO-247，包括4 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为43 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为43 ns，器件的漏极-源极电阻为190 mOhms，Qg栅极电荷为165 nC，Pd功耗为624W，封装外壳为TO-247，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为36A，且正向跨导Min为32S，且下降时间为34ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT34M120J是分立半导体模块功率MOSFET-MOS8，包括单一配置，它们设计为在90 ns的下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于35 a，提供安装类型功能，如螺钉，封装盒设计用于SOT-227-4，以及960 W Pd功耗，该器件也可以用作功率MOSFET模块产品。此外，Rds漏极-源极电阻为240 mOhms，器件的上升时间为60 ns，器件具有商品名的POWER MOS 8 ISOTOP，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为315 ns，典型开启延迟时间为100 ns，单位重量为1.058219 oz，Vds漏极源极击穿电压为1.2 kV，并且Vgs栅极-源极电压是30V，并且Vgs第二栅极-源阈值电压是3V。
APT34M60B是由APT制造的MOSFET N-CH 600V 36A TO-247。APT34M600B以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 36A TO-247、N沟道600V 36A（Tc）624W（Tc）通孔TO-247[B]、分立半导体模块功率MOSFET-MOS8。
