9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的VN0606L-G-P003，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VN0606L-G-P003参考价格1.15500美元。Microchip Technology VN0606L-G-P003封装/规格：MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3。您可以下载VN0606L-G-P003英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VN0606L-G P002带有引脚细节，包括卷筒包装，其设计用于0.016000盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Id连续漏极电流为330 mA，器件提供60 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有3欧姆Rds漏极源极电阻，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
带有用户指南的VN0606L-G P005，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.016000 oz单位重量运行，数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及3欧姆Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-92-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型通孔，Id连续漏电流为330 mA，通道模式为增强型。
VN0606L-G P014，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为在330 mA Id连续漏电流下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数量功能，如1通道，包装盒设计为在to-92-3中工作，以及卷筒包装，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的3欧姆Rds。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
VN0606L-G-P003，带有EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，它们设计为采用通孔安装方式操作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、晶体管极性等封装功能，设计为在N沟道以及增强沟道模式下工作，该器件也可以用作60V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Id连续漏极电流为330 mA，该器件的漏极源极电阻为3欧姆Rds，该器件具有1个晶体管型N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.016000盎司。
