9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT43M60L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT43M60L参考价格为11.85000美元。Microchip Technology APT43M60L封装/规格：MOSFET N-CH 600V 45A TO264。您可以下载APT43M60L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT43GA90BD30是IGBT 900V 78A 337W TO247，包括管式封装，设计用于1.340411盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-247[B]供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供337W最大功率，该设备的集流器Ic最大值为78A，集流器发射极击穿最大值为900V，IGBT类型为PT，集流脉冲Icm为129A，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V，47A，开关能量为875μJ（开），425μJ（关），栅极电荷为116nC，25°C时的Td为12ns/82ns，测试条件为600V、25A、4.7 Ohm、15V，Pd功耗为337W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为900 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25 C时的连续集电极电流为78 A，并且栅极发射极漏电流为100nA，并且最大栅极发射极电压为30V，并且连续集电极电流Ic-Max为78A。
APT43M60B2是MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为48 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8，该器件采用Si技术，器件的上升时间为55ns，漏极-源极电阻Rds为130mOhms，Qg栅极电荷为215nC，Pd功耗为780W，包装为卷轴式，包装盒为TO-247-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为45 A，正向跨导最小值为42 S，下降时间为44 ns，信道模式为增强。
APT43GA90BQ30带有由APT制造的电路图。APT43AA90BQ30采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
