9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT66F60L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT66F60L参考价格为20.13000美元。Microchip Technology APT66F60L封装/规格：MOSFET N-CH 600V 70A TO264。您可以下载APT66F60L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT66F60B2是MOSFET N-CH 600V 70A TO-247，包括卷盘封装，它们设计用于通孔安装型，商品名显示在数据表注释中，用于POWER MOS 8，提供封装外壳功能，如T-Max-3，技术设计用于Si，以及1.135 kW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为70 ns，器件的上升时间为85 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为70 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds漏极源极电阻为75 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是225ns，并且典型接通延迟时间是75ns，并且Qg栅极电荷是330nC，并且正向跨导Min是65S，并且沟道模式是增强。
APT65GP60L2DQ2G是IGBT 600V 198A 833W TO264，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、65A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供400V、65A、5 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，895μJ（关断）开关能量，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，功率最大值为833W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-264-3、TO-264AA封装外壳，安装类型为通孔，安装类型是通孔，输入类型为标准，IGBT类型为PT，栅极电荷为210nC，集电器脉冲Icm为250A，集电器Ic最大值为198A。
APT65GP60JDQ2是由APT制造的IGBT模块绝缘栅双极晶体管-PT功率MOS 7-Combi。APT65GG60JDQ2是模块封装中的一部分，并支持IGBT模块绝缘栅极双极晶体管-PT-功率MOS 7-comi。
