9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT26M100JCU3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT26M100JCU3参考价格为36.84000美元。微芯片技术APT26M100JCU3封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227。您可以下载APT26M100JCU3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APT26F120L是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括卷轴封装，它们设计为以0.373904盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Power MOS 8等商标功能，封装盒设计为在to-264-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为48 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为27 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为480mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型接通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为300nC，正向跨导最小值为31S，沟道模式为增强。
APT26F120B2是MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1200 V，提供典型的开启延迟时间功能，如50 ns，典型的关闭延迟时间设计为170 ns，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作POWER MOS 8商标。此外，该技术为Si，器件的上升时间为31 ns，器件的漏极-源极电阻为480 mOhms，Qg栅极电荷为300 nC，Pd功耗为1.135 kW，封装外壳为T-Max-3，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为27A，正向跨导Min为31S，下降时间为48ns，信道模式为增强。
APT26M100JCU2是Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-SiC。APT26M100JCU2以SOT-227封装形式提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-SiC、N沟道1000V 26A（Tc）543W（Tc）底盘安装SOT-227、Trans MOSFET N-CH 1KV 26A 4引脚SOT-227。
