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APT26F120L

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 1135W(Tc) 供应商设备包装: TO-264 [L] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 20

数量 单价 合计
20+ 209.37775 4187.55506
  • 库存: 0
  • 单价: ¥190.33617
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,187.56
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 300 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 至264-3,至264AA
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 2.5毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 27A(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-264 [L]
  • 最大功耗 1135W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9670 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 650毫欧姆 @ 14A, 10V

APT26F120L 产品详情

APT26F120L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),APT26F120L 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APT26F120L价格参考¥190.336169,你可以下载 APT26F120L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APT26F120L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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