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APT38F80L是MOSFET N-CH 800V 41A TO-264，包括卷轴封装，它们设计为以0.352740盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-264等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及单配置，该设备也可以用作1.04 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为60 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为41 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为240mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为200ns，典型接通延迟时间为46ns，Qg栅极电荷为260nC，正向跨导Min为38S，沟道模式为增强。
APT38F50J是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
APT38F80B2是MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX，包括Si技术。
