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APT1201R5BVFRG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 供应商设备包装: TO-247 [B]
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 30

数量 单价 合计
30+ 210.65250 6319.57512
  • 库存: 0
  • 单价: ¥191.53125
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6,319.58
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 高度(英寸) eighteen
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 供应商设备包装 TO-247 [B]
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 285 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4440 pF @ 25 V
  • 材质 -

APT1201R5BVFRG 产品详情

APT1201R5BVFRG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),APT1201R5BVFRG 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APT1201R5BVFRG价格参考¥191.531248,你可以下载 APT1201R5BVFRG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APT1201R5BVFRG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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