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CSD25211W1015是MOSFET PCh NexFET功率MOSFET，包括CSD25211W1 015系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000060盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于NexFET，以及DSBGA-6封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单信道配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14.2 ns，上升时间为8.8 ns，Vgs栅源电压为-6 V，Id连续漏极电流为-3.2A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-800mV，Rds导通漏极-漏极电阻为33mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为36.9ns，典型导通延迟时间为13.6ns，Qg栅极电荷为3.4nC，并且正向跨导Min为12S。
CSD25213W10是MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET，包括-850 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在-6 V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如510 ns，典型的关闭延迟时间设计为1 us，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD25213W10系列，上升时间为520纳秒，漏极源极电阻Rds为47毫欧，Qg栅极电荷为2.2 nC，Pd功耗为1 W，封装为卷轴，封装外壳为DSBGA-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-1.6 A，下降时间为970 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD25202W15是MOSFET 20V P沟道NexFET Pwr MOSFET，包括1沟道数量的沟道，它们设计为与卷筒封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于CSD25202W1 5，提供Si等技术特性，商品名设计用于NexFET，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。
