9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD25401Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD25401第三季度参考价格为0.46000美元。德州仪器CSD25401Q3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 14A/60A 8VSON。您可以下载CSD25401Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD25310Q2是MOSFET P-CH 20V 48A 6SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商品名功能，包装盒设计为在6-WDFN暴露焊盘以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，信道数为1信道，该设备采用6-WSON（2x2）供应商设备包提供，该设备具有单信道配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为2.9W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为655pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A（Ta），最大Id Vgs的Rds为23.9 mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4.7nC@4.5V，Pd功耗为2.9W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为5 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为-8V，Id连续漏极电流为-9.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为-850mV，Rds导通漏极-漏极电阻为23.9mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为3.6nC，正向跨导Min为34S。
CSD25304W1015T是MOSFET 20V P-Ch NexFET，包括-0.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vg栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.000060 oz，典型开启延迟时间设计为6 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有CSD25304W1015系列，上升时间为4ns，漏极-源极电阻Rds为92mOhms，Qg栅极电荷为3.3nC，Pd功耗为1.5W，封装为卷轴，封装盒为DSBGA-6，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-3A，下降时间为10ns，配置为单一。
CSD25401带有TI制造的电路图。CSD25401采用QFN封装，是FET的一部分-单体。
