9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF11NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF11NM60N参考价格为5.76美元。STMicroelectronics STF11NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP。您可以下载STF11NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF11N65M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于MDmesh II Plus以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为7 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为670mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为9.5ns，Qg栅极电荷为12.5nC。
STF11NM50N是MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为10ns，漏极-源极电阻Rds为470mOhms，Qg栅极电荷为19nC，Pd功耗为25W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为8.5 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF11N65M5是MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS，包括9 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供to-220-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及85 W Pd功耗，该器件也可以用作480mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为MDmesh M5，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.011640盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
