9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL60N3LLH5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL60N3LLH5参考价格为0.93美元。STMicroelectronics STL60N3LLH5封装/规格：MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT。您可以下载STL60N3LLH5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL60N10F7带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为16.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为16.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为15.2ns，Qg栅极电荷为25nC。
STL60N32N3LL是MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT，包括1V@1μA Vgs th Max Id，它们设计用于使用PowerFlat？（5x6）数据表注释中显示了用于STripFET？的供应商设备包系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如9.2 mOhm@6.8A，10V，Power Max设计用于23W，50W，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有950pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为6.6nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为32A，60A。
STL6020-2AXF，电路图由SENTELIC制造。STL6020-2AXF采用SSOP16封装，是IC芯片的一部分。
