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CSD25213W10是MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET，包括CSD25213W1 0系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装外壳设计用于DSBGA-4以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单通道，该器件为1 P通道晶体管类型，该器件具有1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为970 ns，上升时间为520 ns，Vgs栅源电压为-6 V，并且Id连续漏极电流为-1.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-850mV，Rds导通漏极-漏极电阻为47mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为1us，典型导通延迟时间为510ns，Qg栅极电荷为2.2nC，并且信道模式是增强。
CSD25301W1015是TI制造的MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA。CSD25301W1 015可提供6-UFBGA、DSBGA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH20V 2.2A 6DSBGA、P沟道20V 2.2A（Tc）1.5W（Ta）表面安装6-DSBGA（1x1.5）。
CSD25302Q2是TI制造的MOSFET P-CH 20V 5A 6SON。CSD25302Q1可在SON6封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH20V 5A 6SON，P沟道20V 5A（Tc）2.4W（Ta）表面安装6-SON。
