特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 针对10V栅极驱动电压（称为正常电平）进行优化，能够在4.5V栅极驱动电压下驱动（称为逻辑电平）
- 降低了高端配置的设计复杂性（与N通道器件相比）
- 与微控制器的接口更简单（与N通道设备相比）
- 行业标准表面安装组件
- 能够进行波峰焊接
IRF9393PBF
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥28.47908
-
数量:
- +
- 总计: ¥28.48
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 场效应管类型 P-通道
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏、20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@25A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1110 pF@25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9.2A (Ta)
- 部件状态 Digi-Key停产
- 导通电阻 Rds(ON) 13.3M欧姆@9.2A，20V
IRF9393PBF 产品详情
IRF9393PBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF9393PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF9393PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF9393PBF价格参考￥28.479083，你可以下载 IRF9393PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF9393PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
