9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6720S2TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6720S2TRPBF参考价格为0.554美元。Infineon Technologies IRF6720S2TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET。您可以下载IRF6720S2TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF6718L2TRPBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装外壳功能，如DirectFET-7，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供4.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为53 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为270 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为67ns，Qg栅极电荷为64nC，正向跨导最小值为820S。
IRF6717MTRPBF是MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于DIRECTFET以及Si技术，该器件也可以用作1.6mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为46 nC，该器件提供96 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为DirectFET-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为220 a。
IRF6717MTR1PBF是MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET，包括220 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供封装外壳功能，如DIRECTFET-4，封装设计用于卷筒，以及96 W Pd功耗，该器件也可以用作46nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为2.1mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IRF6716PBF，带IOR制造的EDA/CAD模型。IRF6716PBF采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
