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IRF8113GPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.2A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥26.05995
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.06
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 17.2A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.6毫欧姆 @ 17.2A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2910 pF@15 V

IRF8113GPBF 产品详情

福利
● 4.5V VGS时RDS极低(开启)
● 低栅极电荷
● 完全特征化雪崩电压
和电流
● RG 100%测试

应用
● 笔记本同步MOSFET
处理器电源
● 同步整流器MOSFET
隔离DC-DC转换器
网络系统

特色

  • 符合RoHS
  • 行业领先的质量
  • 4.5V VGS时RDS低(ON)
  • 充分表征雪崩电压和电流
  • 超低栅极阻抗
IRF8113GPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF8113GPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF8113GPBF价格参考¥26.059954,你可以下载 IRF8113GPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF8113GPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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