9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH8337TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH8337TR2PBF参考价格为1.148美元。Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN。您可以下载IRFH8337TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRFH8337TR2PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFH8334TR2PBF是MOSFET 30V 999A SO-8，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装情况如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单通道配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.2 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4.6 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为9 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7ns，典型接通延迟时间为8.3ns，Qg栅极电荷为7.1nC，正向跨导Min为44S，沟道模式为增强。
IRFH8334TRPBF是MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作7.1nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为30W，该器件采用卷筒包装，该器件具有PQFN-8封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为25A。
IRFH8333TR2PBF，电路图由IRF制造。IRFH8333TR2PBF采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
