9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH8337TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH8337TRPBF价格参考9.944美元。Infineon Technologies IRFH8337TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN。您可以下载IRFH8337TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRFH8337TRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFH8337TR2PBF是MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN，包括卷盘封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.2 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4.1 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为12.8 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.7ns，典型接通延迟时间为6.4ns，Qg栅极电荷为4.7nC，正向跨导最小值为31S，沟道模式为增强。
IRFH8334TR2PBF是MOSFET 30V 999A SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8.3 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如7 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为14 ns，器件提供9 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有7.1 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3.2 W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为14A，正向跨导最小值为44S，下降时间为4.6ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFH8334TRPBF是MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN，包括25 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供PQFN-8等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及30 W Pd功耗，该器件也可以用作7.1nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为13.5mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
