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AUIRF2903ZSTRR是MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms，包括卷筒封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供231 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为37 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为235 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为160nC，正向跨导最小值为120S，沟道模式为增强。
AUIRF2907Z是MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 4.5欧姆，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于75 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为97 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为140 ns，器件的漏极-源极电阻为4.5 mOhms，Qg栅极电荷为180 nC，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流是170A，并且下降时间是100ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
AUIRF2907ZS-7P是MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于44 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如180 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有300W的Pd功耗，Qg栅极电荷为170nC，Rds漏极-源极电阻为3.8mOhms，上升时间为90ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为92ns，典型的接通延迟时间为21ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极电压为20V。
