SMPS MOSFET
福利
● 低栅极至漏极电荷减少
开关损耗
● 全特性电容，包括
简化设计的有效COSS（参见
应用程序。注释AN1001）
● 完全特征化雪崩电压
和电流
应用
● 高频DC-DC转换器
IRFS23N20D
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 170W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥22.03290
-
数量:
- +
- 总计: ¥22.03
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 D2PAK
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 86 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 24A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.5V @ 250A
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@14A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1960 pF @ 25 V
- 最大功耗 3.8W (Ta), 170W (Tc)
IRFS23N20D 产品详情
IRFS23N20D 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFS23N20D所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFS23N20D 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFS23N20D价格参考￥22.032902，你可以下载 IRFS23N20D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFS23N20D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
