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IRF6811STRPBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC,包括卷轴封装,它们设计用于SMD/SMT安装样式,商品名显示在数据表注释中,用于DirectFET,提供封装外壳功能,如DirectFET-6,技术设计用于Si,以及1信道数信道,该设备也可以用作单双漏极配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供32 W Pd功耗,器件具有16 V Vgs栅极-源极电压,Id连续漏极电流为74 a,Vds漏极-源极击穿电压为25 V,Rds漏极源极电阻为5.4 mΩ,晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为11 nC。
IRF6811STR1PBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC,包括16 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型,提供晶体管极性特性,如N沟道,该器件还可以用作11nC Qg栅极电荷。此外,Pd功耗为32 W,该器件采用卷筒封装,该器件具有封装盒的DirectFET-6,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,Id连续漏电流为74 a,配置为单双漏。
IRF6892STRPBF是MOSFET N CH 25V 28A S3,包括卷轴封装,它们设计为使用硅技术操作,产品名称显示在数据表注释中,用于DirectFET。