9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7799L2TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7799L2TRPBF参考价格$9.1。Infineon Technologies IRF7799L2TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET。您可以下载IRF7799L2TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF7769L2TRPBF是MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET L8，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DIRECTFET，提供封装外壳功能，如DIRECTFET-9，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单十六进制漏八进制源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为124 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为92ns，典型接通延迟时间为44ns，Qg栅极电荷为200nC，沟道模式为增强。
IRF7779L2TRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在150 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于16 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如36 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作DirectFET商品名。此外，该技术为Si，器件以19 ns上升时间提供，器件具有9 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为11 nC，Pd功耗为125 W，封装为卷轴，封装外壳为DirectFET-9，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为67 A，下降时间为12 ns，配置为单八进制源十六进制漏，通道模式为增强。
IRF7780MTRPBF带有由IR制造的电路图，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 75V、N沟道75V 89A（Tc）96W（Tc）表面安装DirectFET”等轴测ME、Trans MOSFET N-CH 75V 89B 10引脚直接FET ME T/R、MOSFET 75A、89A、DirectFET 5.7mOhm、124nC Og。
