- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
UPA2600T1R-E2-AX
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta) 供应商设备包装: 6-HUSON (2x2) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥72.77666
-
数量:
- +
- 总计: ¥72.78
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 870 pF @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Ta)
- 包装/外壳 6-WFDFN Exposed Pad
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 6-HUSON (2x2)
- 最大功耗 2.4W(Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 19.1毫欧姆@3.5A,2.5V
- 色彩/颜色 -
UPA2600T1R-E2-AX 产品详情
UPA2600T1R-E2-AX所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UPA2600T1R-E2-AX 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UPA2600T1R-E2-AX价格参考¥72.776659,你可以下载 UPA2600T1R-E2-AX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UPA2600T1R-E2-AX规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...