9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP21D5UFD-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP21D5UFD-7参考价格为1.068美元。Diodes Incorporated DMP21D5UFD-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN。您可以下载DMP21D5UFD-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP21D5UFB4-7B是MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN，包括DMP21系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在3-DFN1006（1.0x0.6）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为460mW，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为46.1pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为700mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为970 mOhm@100mA，5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为500nC@4.5V，Pd功耗为460 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19.2 ns，上升时间为4.3 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-700mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20.2ns，典型接通延迟时间为4.3ns，Qg栅极电荷为0.5nC，正向跨导Min为0.7S，信道模式为增强。
DMP21D0UT-7是MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523，包括700mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000071 oz，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计为在Si中工作，以及SOT-523供应商设备包，该设备也可以用作DMP21系列。此外，Rds On Max Id Vgs为495 mOhm@400mA，4.5V，器件提供960 mOhm Rds On Drain Source电阻，器件最大功率为240mW，Pd功耗为240 mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-523，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为80pF@10V，Id连续漏极电流为650 mA，栅极电荷Qg Vgs为1.54nC@8V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为590mA（Ta），沟道模式为增强型。
DMP21D2UFA-7B带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了163纳秒的下降时间，提供了Id连续漏电流功能，如-330 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用X2-DFN0806-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为360mW，Qg栅极电荷为0.8nC，Rds漏极源极电阻为1欧姆，上升时间为37.3ns，系列为DMP21，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为330ns，典型接通延迟时间为10.3ns，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅源极电压为8V，Vgsth栅源极阈值电压为-1V。
