该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
DMP3065LVT-7
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.2W（Ta） 供应商设备包装: TSOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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- 单价: ¥42.03779
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大功耗 1.2W（Ta）
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.9A (Ta)
- 供应商设备包装 TSOT-23
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.3 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 42毫欧姆 @ 4.9A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 587 pF @ 15 V
DMP3065LVT-7 产品详情
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DMP3065LVT-7所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP3065LVT-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP3065LVT-7价格参考￥42.037792，你可以下载 DMP3065LVT-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP3065LVT-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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