9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMS3016SFG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMS3016SFG-7参考价格$3.238。Diodes Incorporated DMS3016SFG-7封装/规格：MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8。您可以下载DMS3016SFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMS3015SS-13是MOSFET N-CH 30V 11A 8SO，包括DMS30系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于DIOFET，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为单，FET类型为MOSFET N通道、肖特基、金属氧化物，最大功率为1.55W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis Vds为1276pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为11A（Ta），最大Id Vgs的Rds为11.9 mOhm@11A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为30.6nC@10V，Pd功耗为1.55 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为8.5mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为14.3nC，正向跨导Min为18S。
DMS3015SS-13-F，带有DIODES制造的用户指南。DMS3015SSS-13-F采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
DMS3016SFG-13是由DIODES制造的MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8。DMS3016SFG-13采用8-PowerWDFN封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8。
