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IPW65R150CFD是MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3，包括XPW65R150系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW65R150CFDFKSA1 IPW65R250CFDXK SP000907038，该产品提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-247-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为195.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.6 ns，上升时间为7.6 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为22.4A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为135mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52.8ns，典型接通延迟时间为12.4ns，Qg栅极电荷为86nC，沟道模式为增强。
IPW65R190C6是MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型关断延迟时间功能，如133 nS，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有12 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为190 mOhms，Qg栅极电荷为73 nC，Pd功耗为151 W，部件别名为IPW65R190C6FKSA1 IPW65R290C6XK SP000863902，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20.2 A，下降时间为10 ns，配置为单一。
IPW65R150CFDFKSA1是MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3，包括单一配置，它们设计为在5.6 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于22.4 a的Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-247-3，该器件采用管式封装，该器件具有零件别名IPW65R150CFD IPW65R150CFDXK SP000907038，Pd功耗为195.3W，Qg栅极电荷为86nC，漏极电阻Rds为135mOhms，上升时间为7.6 ns，系列为IPW65R250，技术为Si，商品名为CoolMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为1.340411盎司，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPW65R150CFDAFKSA1是MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，部件别名设计用于IPW65R150CFDA IPW65R1 50CFDAXK SP000928274，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，器件提供22.4 A Id连续漏极电流，器件具有150 mOhms的Rds漏极源极电阻，单位重量为1.340411 oz，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道。
