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HAT2170H-EL-E

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥3.80977
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.81
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 最大功耗 30W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 7V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 SC-100,SOT-669
  • 供应商设备包装 LFPAK
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 45A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.2毫欧姆 @ 22.5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4650 pF @ 10 V

HAT2170H-EL-E 产品详情

HAT2170H-EL-E所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HAT2170H-EL-E 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HAT2170H-EL-E价格参考¥3.809765,你可以下载 HAT2170H-EL-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HAT2170H-EL-E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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