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IPL60R1K5C6SATMA1带有引脚细节,包括XPL60R1系列,它们设计用于卷筒包装,零件别名如数据表注释所示,用于IPL60R1 K5C6S SP001163010,提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于CoolMOS,以及SON-8封装盒,该设备也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为26.6 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,下降时间为20 ns,上升时间为7 ns,Vgs栅源电压为30 V,Id连续漏极电流为3A,Vds漏极-源极击穿电压为650V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为40ns,典型接通延迟时间为8ns,Qg栅极电荷为9.4nC。
IPL60R210P6带用户指南,包括600 V Vds漏极-源极击穿电压,设计用于1 N沟道晶体管类型,晶体管极性如数据表注释所示,用于N沟道,提供Si、Rds等技术特性,漏极-漏极电阻设计为210欧姆,以及IPL60R110P6AUMA1 SP001017096零件别名,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为ThinPAK-5 8x8,该设备提供1信道数信道,该设备具有安装型SMD/SMT。
IPL60R210P6AUMA1带有电路图,包括VSON-4封装盒,它们设计用于卷筒封装,数据表注释中显示了IPL60R110P6 SP001017096中使用的零件别名,该产品提供Si等技术特性。