国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种极其高效和可靠的器件,可用于各种
应用。
先进工艺技术
表面安装(IRF6215S)
薄型通孔(IRF6215L)
175°C工作温度
快速切换
P通道
完全雪崩等级
特色
- 符合RoHS
- 低RDS(打开)
- 行业领先的质量
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 完全雪崩等级
- 175°C工作温度
- P沟道MOSFET
起订量: 126
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国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种极其高效和可靠的器件,可用于各种
应用。
先进工艺技术
表面安装(IRF6215S)
薄型通孔(IRF6215L)
175°C工作温度
快速切换
P通道
完全雪崩等级
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。