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IRF6215STRRPBF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 126

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  • 单价: ¥3.83874
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    - +
  • 总计: ¥483.68
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 66 nC @ 10 V
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 860 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 290毫欧姆@6.6A,10V

IRF6215STRRPBF 产品详情

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种极其高效和可靠的器件,可用于各种
应用。

先进工艺技术
表面安装(IRF6215S)
薄型通孔(IRF6215L)
175°C工作温度
快速切换
P通道
完全雪崩等级

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 行业领先的质量
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 完全雪崩等级
  • 175°C工作温度
  • P沟道MOSFET
IRF6215STRRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF6215STRRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF6215STRRPBF价格参考¥3.838737,你可以下载 IRF6215STRRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF6215STRRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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