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IPI65R110CFD是MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262，包括CoolMOS CFD2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI65R110CFDXK IPI65R210CFDXKSA1 SP000896398，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为277.8W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为31.2A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68nS，Qg栅极电荷为118nC。
IPI65R099C6XKSA1是MOSFET N-Ch 700V 38A I2PAK-3，包括700 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性功能，如N通道，商品名设计用于CoolMOS，以及Si技术，该设备也可以用作IPI65R099系列。此外，Rds漏极源极电阻为99 mOhms，该器件采用IPI65R099C6 IPI65RO 99C6XK SP000895222零件别名，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为38 a。
IPI60R600CP是FEELING制造的MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262。IPI60R600CP可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262。
